本视频介绍了：罗姆的第三代碳化硅（SiC）MOSFET，采用创新的4针封装设计，与传统的3针封装相比，大幅提升了开关效率和能耗表现。这种设计通过增加专用的栅极驱动端子，显著减少了电压降低对切换速度的影响，实现了高速切换和低功率损耗，尤其适用于电动汽车充电站、太阳能逆变器及服务器电源等高性能需求场景。此外，该系列产品提供便捷的评估板，便于用户快速验证性能。这一突破性的技术为能源节约和绿色环保提供了可靠支持。
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