本视频介绍了：罗姆半导体最新推出的碳化硅功率模块，标志着公司在该领域的首次大规模生产。这款功率模块完全由碳化硅功率元件组成，具有较高的电压承受能力（额定电压高达1200伏），并且在性能上优于传统的硅IGBT模块。视频详细说明了碳化硅模块相比于硅IGBT模块的三大优势：首先，开关损耗降低了85%，其次，其紧凑型包装设计带来出色的散热性能，最后，该模块支持更简便的空气冷却系统，而不依赖复杂的水冷系统。通过与硅Carbot晶圆制造商Sicrystal的合并，罗姆能够在内部完成从锭形到功率器件的完整制造流程，进一步提升了产品的控制和稳定性。
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