本视频介绍了MOSFET在开关电源中的损耗问题，主要涉及导通损耗和开关损耗的成因及影响因素。MOSFET的导通损耗由其导通电阻及导通时间决定，而开关损耗则受开关速度和开关电流影响。为了减少这些损耗，可以选择低R\(_{DS(on)}\)值的MOSFET、优化开关速度、改进驱动电路、采用散热措施以及合理设置电流保护电路。此外，提高开关频率虽然能降低导通时间和开关时间，但也会增加电路复杂度和成本。因此，在实际应用中需要综合考虑多种因素，以优化开关电源的性能和能效。
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