GaN 半导体的电路设计通常较为复杂，导致元件数量增加，并影响其电压能力的充分利用。Allegro **HV85111** GaN FET 驱动器集成了隔离式电源和栅极驱动功能，简化 eMode GaN FET 的驱动电路设计。作为 Allegro Power-Thru 系列的一部分，HV85111 是 **HV85110** 的双极性版本，支持 12V 电源输入，并采用专有 Power-Thru 技术，同时传输 PWM 信号和栅极电源，实现可编程的双极性隔离偏置电源。该设计提升 dv/dt 抗扰能力，简化系统设计并降低 EMI，同时支持任意浮动开关拓扑。HV85111 采用 Power-Thru 技术，使电路设计更紧凑，减少 50% 以上的元件需求，无需高侧自举电路和外部次级偏置电源，同时降低 EMI，简化滤波器设计，是高效电源转换应用的理想选择。
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